事件表 / 事件 #1594

中國長鑫放話DRAM技術有突破!韓記憶體雙雄重挫 美光盤前續跌2.5%

中國記憶體廠長鑫存儲(CXMT)宣稱,在新一代 DRAM 記憶體單元架構取得重大技術突破,有望搶先三星電子(Samsung Electronics)、SK 海力士(SK Hynix)推出採用「4F²」設計的伺服器記憶體產品,消息引發全球記憶體股連鎖賣壓。不過,這項技術宣稱尚未獲得獨立驗證,

Newtalk新聞10/13 16:54

https://newtalk.tw/news/view/2026-10-13/1065274

主要標籤記憶體南亞科DRAM華邦電李培瑛法說會毛利率美光長鑫存儲力積電

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事件表名次
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10/12(一),由「南亞科」帶動
報導
302 篇
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