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長鑫出大招 完成「4F²」設計 DRAM 市場嚇壞

作者 李孟珊 · 署名 國際中心

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大陸DRAM龍頭長鑫存儲稱領先全球同業,完成記憶體新的單元架構「4F²」設計,藉此提高DRAM密度,預計今年底前推出以該架構設計的DDR5產品,揮軍伺服器市場。

長鑫出大招 完成「4F²」設計 DRAM 市場嚇壞(新聞配圖)
配圖來源:經濟日報

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