Newtalk新聞中國長鑫放話DRAM技術有突破！韓記憶體雙雄重挫 美光盤前續跌2.5%
作者 黃偉柏全文約 1,426 字
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Newtalk新聞 · 文章頁摘要中國記憶體廠長鑫存儲（CXMT）宣稱，在新一代 DRAM 記憶體單元架構取得重大技術突破，有望搶先三星電子（Samsung Electronics）、SK 海力士（SK Hynix）推出採用「4F²」設計的伺服器記憶體產品，消息引發全球記憶體股連鎖賣壓。不過，這項技術宣稱尚未獲得獨立驗證，
中國記憶體廠長鑫存儲（CXMT）宣稱，在新一代 DRAM 記憶體單元架構取得重大技術突破，有望搶先三星電子（Samsung Electronics）、SK 海力士（SK Hynix）推出採用「4F²」設計的伺服器記憶體產品，消息引發全球記憶體股連鎖賣壓。...