聯合新聞網馬斯克示警中國記憶體崛起！量產能力不容小覷 HBM仍有技術門檻
未署名全文約 730 字
文章摘要
聯合新聞網 · 文章頁摘要馬斯克示警中國記憶體量產崛起，長鑫存儲宣布2026年底前推出4F2 DDR5伺服器記憶體；但HBM與3D堆疊仍具技術門檻。
中國記憶體產業快速追趕，引發市場關注。特斯拉執行長馬斯克近日表示，中國一旦掌握製造技術，往往能迅速擴大量產規模，鋰電池與太陽能就是典型案例。他認為，記憶體（RAM）可能成為下一個面臨中國大規模量產競爭的產業，但高頻寬記憶體（HBM）及先進3D堆疊技術仍存在較高門檻，相關言論也引發PTT股板熱議。...