中時新聞網戳破長鑫技術突破真相！記憶體免驚？專家7大原因拆解
作者 郭宜欣全文約 560 字
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中時新聞網 · 文章頁摘要大陸晶片巨頭長鑫存儲日前宣稱技術突破，有機會在年底推出採用4F²記憶單元架構的DDR5 RDIMM，面積可較現有6F²設計縮減約三分之一，效率提升耗能下降。此消息造成記憶體族群股價震盪，但專家提出7大理由駁斥利空。綜
大陸晶片巨頭長鑫存儲日前宣稱技術突破，有機會在年底推出採用4F²記憶單元架構的DDR5 RDIMM，面積可較現有6F²設計縮減約三分之一，效率提升耗能下降。此消息造成記憶體族群股價震盪，但專家提出7大理由駁斥利空。...