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11/3（二）
長庚大學攜手台日團隊突破二維半導體瓶頸 研究成果躍上《Nature》 - 睿傳媒 Rightmedia
墨新聞｜記者卞金峰／台北報導 全球下世代半導體技術迎來歷史性突破！隨著AI、高效能運算與3D晶片快速發展，半導體產業正積極尋求能取代傳統矽材料的新世代「二維半導體」。長庚大學攜手臺灣、日本跨國研究團隊，成功突破國際長年瓶頸，開發出全球罕見、可晶圓級製造的高遷移率p型「硼碳氮（BCN）」二維半導體，研究成果已於今年9月底榮登國際頂尖期刊《Nature》，為未來AI晶片與3D積體電路商用化開創新契機。 長庚大學化材系童俊智教授（圖右）、吳明忠教授（圖左）與台日研究團隊緊密合作，在新型後矽材料、二維半導體與先進半導體製程領域創下重要里程碑。 這項跨國突破是由長庚大學「前瞻後矽異質材料中心」主任童俊智特聘教授領軍，匯聚東京大學、臺灣大學、陽明交通大學、中央研究院及等台日頂尖科研機構。研究團隊精準調控硼、碳、氮原子在表面反應中的釋放時序與結合路徑，克服傳統 BCN 合成中碳原子容易形成石墨烯相分離、難以均勻嵌入氮化硼晶格的問題，成功在2吋晶圓上生長出單層BCN 的p型半導體材料。該材料結構連續、厚度僅一個原子（約0.5奈米），同時兼具高遷移率及晶圓級均勻性。 長庚大學校長湯明哲表示，在科技追求高效能、省電與智慧化的趨勢下，「二維半導體」備受全球關注。長庚大學深耕前瞻材料領域，特聘國際權威童俊智成立「前瞻後矽異質材料中心」，此次成果登上《Nature》極具指標意義。未來該中心將持續整合材料、奈米、光電與化學等跨領域量能，聚焦次世代半導體材料的設計、製程及元件應用，全力打造具國際競爭力的研發基地。 童俊智表示，此次研究成功開發出具備優異效能的晶圓尺度單原子層硼碳氮化物（boron carbon nitride, BCN）p 型二維半導體元件，其效能不僅超越「2031 年國際元件與系統技術藍圖（IRDS）」所設定的高性能挑戰指標，更為未來超低功耗、高度積體化的次世代晶片發展與商業化應用奠定重要基礎。值得一提的是，這項突破並非仰賴昂貴且複雜的製程技術，而是從基礎化學原理出發，整合反應動力學、表面擴散、化學勢、成核理論及鍵結選擇性等關鍵機制，建立精準的材料合成策略。 長庚大學湯明哲校長致詞時提到，半導體如今已邁入後摩爾時代，國際科研競逐的核心將著重於誰能率先克服新材料的物理極限。 研究團隊透過前驅物工程，設計以單甲基胺硼烷（MMAB）與氨硼烷（AB）組成的雙前驅物系統，精確調控硼、碳、氮原子在表面反應過程中的釋放時序與鍵結路徑，成功克服傳統 BCN 材料合成中碳原子容易析出並形成石墨烯相、難以均勻整合至氮化硼晶格的關鍵瓶頸，進而實現晶圓尺度、原子層厚度 BCN 二維半導體的可控制備，展現基礎化學原理在突破先進半導體材料技術瓶頸上的重要價值。 他進一步分析，二維半導體被視為後摩爾時代與3D單晶積體電路的3D材料平台。然而，業界長期面臨「高效能、高穩定度且可大面積製備之P型半導體」極度匱乏的困境。多數二維材料容易呈現 n 型或雙極性傳輸，p 型材料則常受限於載子散射、穩定性不足、製程相容性不佳與晶圓尺度均勻性不足，成為發展低功耗互補式電子元件的核心瓶頸。 長庚大學工學院郭斯彥院長表示，由童俊智教授成立的「前瞻後矽異質材料中心」，將整合校內不同領域的師資與資源，打造具國際競爭力的半導體與新興材料研究基地。 為此，研究團隊透過更嚴謹的實驗設計、更緊密的跨國合作與多尺度表徵技術，建立從分子反應、原子結構到元件性能的完整因果鏈。這份成果不僅驗證 BCN 作為 p 型二維半導體的巨大潛力，也展現台日研究團隊在逆境中持續推進前沿科學的韌性。 童俊智指出，本次研究成果代表台日合作在新型後矽材料、二維半導體與先進半導體製程上創下重要里程碑。未來，p型BCN可望與n型二維半導體整合，形成互補式二維電子元件，進一步應用於3D單晶整合、低功耗邏輯電路、先進封裝與後摩爾世代的人工智慧硬體。 本研究論文題目為「Wafer-scale epitaxy growth of high-mobility p-type boron carbon nitride」，全文已刊登於《Nature》期刊：https://www.nature.com/articles/s41586-026-11047-9 此篇文章最開始出處為：長庚大學攜手台日團隊突破二維半導體瓶頸 研究成果躍上《Nature》這篇文章 長庚大學攜手台日團隊突破二維半導體瓶頸 研究成果躍上《Nature》 最早出現在 睿傳媒 Rightmedia.
風傳媒偏藍長庚大學攜手台日團隊突破二維半導體瓶頸 0.5奈米單層材料躍登《Nature》
面對人工智慧（AI）、高效能運算與 3D 晶片的蓬勃發展，全球半導體產業正加速尋求突破物理極限的新世代材料。長庚大學攜手台日頂尖團隊突破二維半導體瓶頸，成功開發出厚度僅約 0.5 奈米的單層材料，卓越成果躍登國際頂尖期刊《Nature》！長庚大學校長湯明哲表示，長庚打造的「前瞻後矽異質材料中心」成功跨越極限，成功跨越國際技術藍圖 2031 年高性能挑戰指標，......
長庚大學攜手台日團隊突破二維半導體瓶頸 研究成果躍上《Nature》
長庚大學攜手臺灣、日本跨國研究團隊，成功開發可在2吋晶圓上製備的高遷移率p型「硼碳氮（BCN）」二維半導體，材料厚度僅約0.5奈米，兼具高遷移率及晶圓級均勻性。研究成果已於2026年9月底刊登國際頂尖科學期刊《Nature》，為未來低功耗AI晶片與3D積體電路發展開創新契機。 這項研究由長庚大學「前瞻後矽異質材料中心」主任童俊智特聘教授領軍，結合東京大學、臺灣大學、陽明交通大學及中央研究院等台日科研機構，共同突破二維半導體長期面臨的材料製備瓶頸。 隨著人工智慧、高效能運算及3D晶片快速發展，半導體產業持續探索傳統矽材料之外的新選擇。其中，二維半導體因厚度極薄、具備高度積體化潛力，成為後摩爾時代的重要研究方向。 然而，現有二維材料多呈現n型或雙極性傳輸，兼具高效能、高穩定性及大面積製備能力的p型材料相對缺乏，成為發展低功耗互補式電子元件的重要挑戰。 童俊智表示，研究團隊從基礎化學原理出發，運用前驅物工程，設計由單甲基胺硼烷（MMAB）與氨硼烷（AB）組成的雙前驅物系統，精確控制硼、碳、氮原子在表面反應時的釋放順序及結合方式。 這項技術成功克服傳統BCN材料合成時，碳原子容易
中時新聞網偏藍長庚大學攜手台日團隊突破二維半導體瓶頸！0.5奈米單層材料躍登《Nature》,「前瞻後矽異質材料中心」跨越2031年…
面對人工智慧（AI）、高效能運算與 3D 晶片的蓬勃發展，全球半導體產業正加速尋求突破物理極限的新世代材料。長庚大學攜手台日頂尖團隊突破二維半導體瓶頸，成功開發出厚度僅約 0.5 奈米的單層材料，卓越成果躍登國
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11/1（日）
Countries commit to get nature goals back on track
Nearly 200 nations on Friday struck hard-fought agreements at a UN biodiversity summit, but the outcome was accompanied by disappointment over missed opportunities to address humanity’s destructive toll on nature.Delegates cheered as crucial texts were approved in overtime, but the celebrations were
Taipei Times