長庚大學攜手台日團隊突破二維半導體瓶頸 研究成果躍上《Nature》

長庚大學攜手臺灣、日本跨國研究團隊，成功開發可在2吋晶圓上製備的高遷移率p型「硼碳氮（BCN）」二維半導體，材料厚度僅約0.5奈米，兼具高遷移率及晶圓級均勻性。研究成果已於2026年9月底刊登國際頂尖科學期刊《Nature》，為未來低功耗AI晶片與3D積體電路發展開創新契機。 這項研究由長庚大學「前瞻後矽異質材料中心」主任童俊智特聘教授領軍，結合東京大學、臺灣大學、陽明交通大學及中央研究院等台日科研機構，共同突破二維半導體長期面臨的材料製備瓶頸。 隨著人工智慧、高效能運算及3D晶片快速發展，半導體產業持續探索傳統矽材料之外的新選擇。其中，二維半導體因厚度極薄、具備高度積體化潛力，成為後摩爾時代的重要研究方向。 然而，現有二維材料多呈現n型或雙極性傳輸，兼具高效能、高穩定性及大面積製備能力的p型材料相對缺乏，成為發展低功耗互補式電子元件的重要挑戰。 童俊智表示，研究團隊從基礎化學原理出發，運用前驅物工程，設計由單甲基胺硼烷（MMAB）與氨硼烷（AB）組成的雙前驅物系統，精確控制硼、碳、氮原子在表面反應時的釋放順序及結合方式。 這項技術成功克服傳統BCN材料合成時，碳原子容易