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10/27（二）

科技新報18:57
美光揭次世代 DRAM 藍圖：導入晶圓鍵合、High-NA EUV，推進 vHBM、vEIM 布局
記憶體大廠美光先前宣布跳過 4F² DRAM 電路單元架構，但從技術藍圖移除後，公司必須採用不同方法來推進 DRAM 元件微縮。根據外媒 Tom’s Hardware 報導，美光計畫在即將推出的 1ε DRAM 製程中導入晶圓鍵合（Wafer Bonding），後續世代採用 High-NA EUV...
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