科技新報美光揭次世代 DRAM 藍圖：導入晶圓鍵合、High-NA EUV，推進 vHBM、vEIM 布局
作者 林妤柔全文約 1,505 字
文章摘要
科技新報 · 文章頁摘要記憶體大廠美光先前宣布跳過 4F² DRAM 電路單元架構，但從技術藍圖移除後，公司必須採用不同方法來推進 DRAM 元件微縮。 根據外媒 Tom’s Hardware 報導，美光計畫在即將推出的 1ε DRAM 製程中導入晶圓鍵合（Wafer Bonding），後續世代採用 High-NA EUV...
記憶體大廠美光先前宣布跳過 4F² DRAM 電路單元架構，但從技術藍圖移除後，公司必須採用不同方法來推進 DRAM 元件微縮。 根據外媒 Tom’s Hardware 報導，美光計畫在即將推出的 1ε DRAM 製程中導入晶圓鍵合（Wafer Bonding），後續世代採用 High-NA EUV...