經濟日報韓媒：三星應輝達要求 下一代HBM基礎晶粒採台積電3奈米
署名 首爾18日綜合外電報導全文約 490 字
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經濟日報 · 文章頁摘要韓國「首爾經濟日報」今天報導，三星電子將採用台積電的3奈米製程，為輝達（Nvidia）下一代客製化高頻寬記憶體（HBM）...
本文共430字 韓國「首爾經濟日報」今天報導，三星電子將採用台積電的3奈米製程，為輝達（Nvidia）下一代客製化高頻寬記憶體（HBM）晶片製造基礎晶粒（base die）。 根據「首爾經濟日報」（Seoul Economic Daily），此舉將是三星電子（Samsung Electronics）...