科技新報韓媒：三星應輝達要求，下代 HBM 基礎晶粒採台積電 3 奈米
來源 中央社
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科技新報 · 文章頁摘要韓國《首爾經濟日報》18 日報導，三星電子將採用台積電 3 奈米製程，為輝達（Nvidia）下代客製化高頻寬記憶體（HBM）晶片製造基礎晶粒（base die）。 《首爾經濟日報》（Seoul Economic Daily）報導，此舉將是三星電子（Samsung Electronics）首次HBM製...
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韓國《首爾經濟日報》18 日報導，三星電子將採用台積電 3 奈米製程，為輝達（Nvidia）下代客製化高頻寬記憶體（HBM）晶片製造基礎晶粒（base die）。 《首爾經濟日報》（Seoul Economic Daily）報導，此舉將是三星電子（Samsung Electronics）首次HBM製...
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