東森新聞三星追不上！傳接受輝達要求晶片將採台積3奈米
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東森新聞 · 文章頁摘要輝達傳要求三星、SK海力士及美光的下一代HBM4E基底裸片採用台積電3奈米製程，市場關注台積電良率優勢及先進製程布局，可能如何影響記憶體生產模式。
在輝達GTC柏林大會登場之前，執行長黃仁勳再喊AI還有很長的路要走，同時，輝達傳出要求三星採用台積電的3奈米製程，為輝達下一代記憶體HBM製造基底裸片。這項要求可能打破三星長年採用的「一站式全包」生產模式，背後原因可能就跟台積電的3奈米良率超過9成有關！...