聯合新聞網傳輝達要求自家HBM基礎晶粒 須用台積製程 三星配合
作者 陳苓全文約 648 字
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聯合新聞網 · 文章頁摘要韓國消息指出，輝達要求該公司的客製化高頻寬記憶體（HBM），有部分須使用台積電的3奈米製程，原因之一是台積良率超過90%，三星電子因此須與台積共同生產。
韓國消息指出，輝達要求該公司的客製化高頻寬記憶體（HBM），有部分須使用台積電的3奈米製程，原因之一是台積良率超過90%，三星電子因此須與台積共同生產。 首爾經濟日報報導，業界人士透露，輝達與三星電子、台積電，共同設計輝達記憶體「NVHBM」的基礎晶粒（base die）。...