三立新聞網韓媒：三星應輝達要求 下一代HBM基礎晶粒採台積電3奈米
未署名全文約 441 字
文章摘要
三立新聞網 · 文章頁摘要韓國「首爾經濟日報」今天報導，三星電子將採用台積電的3奈米製程，為輝達（Nvidia）下一代客製化高頻寬記憶體（HBM）晶片製造基礎晶粒（base die）。
韓國「首爾經濟日報」今天報導，三星電子將採用台積電的3奈米製程，為輝達（Nvidia）下一代客製化高頻寬記憶體（HBM）晶片製造基礎晶粒（base die）。 根據「首爾經濟日報」（Seoul Economic Daily），此舉將是三星電子（Samsung Electronics）首次在HBM製造...