輝達 HBM 採用權王3奈米

作者陳苓10/19 02:33全文約 360 字

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韓媒報導，輝達要求其客製化高頻寬記憶體（HBM），基礎晶粒（base die）部分須使用台積電3奈米，原因之一是台積良率超過90%，三星電子因此須與台積電攜手。

本文共306字韓媒報導，輝達要求其客製化高頻寬記憶體（HBM），基礎晶粒（base die）部分須使用台積電（2330）3奈米，原因之一是台積良率超過90%，三星電子因此須與台積電攜手。首爾經濟日報報導，業界人士透露，輝達與三星電子、台積電，共同設計輝達記憶體「NVHBM」的基礎晶粒。...