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11/5（四）
盤中速報 - 力士(4923)股價拉至漲停，漲停價49.05元，成交200張
力士(4923-TW)05日09:00上漲4.45元，股價漲停報49.05元，委買3,900,000張，成交200張。主要業務為MOSFETS。力士(4923-TW)近5日股價下跌6.4%，櫃買市場加權指數下跌12.95%，股價漲幅表現優於大盤。近5日籌碼 三大法人合計買賣超：+28 張
鉅亨網11/4（三）
盤中速報 - 力士(4923)股價拉至漲停，漲停價44.6元，成交202張
力士(4923-TW)04日09:41上漲4.05元，股價漲停報44.6元，委買4,254,000張，成交202張。主要業務為MOSFETS。力士(4923-TW)近5日股價下跌11.17%，櫃買市場加權指數下跌8.88%，短期股價無明顯表現。近5日籌碼 三大法人合計買賣超：+71 張
11/2（一）
Ace nanochem為功率器件和先進封裝開發三種新型半導體材料
韓國 Ace nanochem 發表三款半導體新材料，針對功率溝槽 MOSFET、晶圓 CMP 後處理及 TGV 加工。該公司旨在運用前述方案，深化與台灣及日本半導體廠之技術合作。#半導體,先進封裝,半導體材料,功率半導體,漿料,化學機械拋光 (Ace nanochem)
Ace nanochem為功率器件和先進封裝開發三種新型半導體材料
新型多晶硅漿料、硅裸片晶圓表面處理方案以及玻璃TGV漿料，可以支撐下一代半導體製造，同時該公司正擴大在台灣和日本的業務佈局 韓國首爾2026年11月2日 /美通社/ -- 由李宗勳(Jonghoon Lee)擔任首席執行官的韓國半導體材料企業Ace nanochem Co., Ltd.，已經完成三款半導體製造材料解決方案的開發：面向功率溝槽MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）的多晶硅漿料、硅裸片晶圓化學機械拋光(CMP)後的表面處理方案，以及用於玻璃通孔(TGV)加工的漿料。該公司計劃依托這些研發成果，進一步拓展與台灣及日本半導體製造商的業務合作。 Ace nanochem Co., Ltd. has over 20 years of specialized expertise in colloidal silica (SiO_2) nanoparticle control technology. 這三款解決方案可以幫助應對半導體製造中的不同挑戰，覆蓋從功率器件的選擇性拋光，到先進封裝環節的晶圓表面潔淨度與平整度管控等多個場景。 Ace nanochem面向功率溝槽MOSFET
Ace nanochem為功率器件和先進封裝開發三種新型半導體材料 - 睿傳媒 Rightmedia
新型多晶硅漿料、硅裸片晶圓表面處理方案以及玻璃TGV漿料，可以支撐下一代半導體製造，同時該公司正擴大在台灣和日本的業務佈局 韓國首爾2026年11月2日 /美通社/ — 由李宗勳(Jonghoon Lee)擔任首席執行官的韓國半導體材料企業Ace nanochem Co., Ltd.，已經完成三款半導體製造材料解決方案的開發：面向功率溝槽MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）的多晶硅漿料、硅裸片晶圓化學機械拋光(CMP)後的表面處理方案，以及用於玻璃通孔(TGV)加工的漿料。該公司計劃依托這些研發成果，進一步拓展與台灣及日本半導體製造商的業務合作。 Ace nanochem Co., Ltd. has over 20 years of specialized expertise in colloidal silica (SiO_2) nanoparticle control technology. 這三款解決方案可以幫助應對半導體製造中的不同挑戰，覆蓋從功率器件的選擇性拋光，到先進封裝環節的晶圓表面潔淨度與平整度管控等多個場景。 Ace nanochem面向功率溝槽MOSFET的多晶硅漿料，能夠在實現多晶硅高去除速率的同時，最大限度降低對柵氧化層的損傷。該配方在優化拋光性能的同時，可以減少劃痕、顆粒生成、碟形凹陷與侵蝕問題，助力提升製程管控水平與晶圓表面品質。 硅裸片晶圓表面處理方案在化學機械拋光後投入使用，可以提升晶圓表面潤濕性並避免污染附著。該解決方案通過降低拋光後的顆粒附著，滿足後續製造工序嚴苛的表面潔淨度要求。 針對先進半導體封裝場景，Ace nanochem的玻璃TGV漿料，可以對銅塊體、阻擋金屬、裸玻璃等不同物理屬性的材料進行拋光。該產品能夠同步加工這類材料，滿足TGV製造對平整度與表面均勻性的要求。 依托向韓國主要半導體廠商供貨的經驗，Ace nanochem正在著力拓展台灣與日本方面的業務機遇，二者均是全球半導體產業的重要市場。該公司常年參加SEMICON TAIWAN半導體展，並且與領先的晶圓代工廠開展技術合作，以此深化和海外客戶及行業夥伴的合作關係。 Ace nanochem首席執行官李宗勳表示：「這三款產品體現了我們聚焦從功率器件到先進封裝等嚴苛製造工序的半導體材料研發方向。我們計劃依托自身的材料技術與製造能力，深化與台灣、日本及全球其他市場半導體廠商的技術合作。」 關於Ace nanochem Co., Ltd. Ace nanochem Co., Ltd.自1999年12月啟動膠體硅業務以來，已經在膠體二氧化硅(SiO₂)納米顆粒管控技術領域積累了超過20年的專業技能。 該公司擁有全自動化生產線與專屬原料生產設施，公開年產能達6萬噸。Ace nanochem向SK海力士、SK siltron、SSMC、環球晶圓、安靠科技等主要半導體及晶圓廠商供應ACESOLR半導體CMP漿料與ACESOLRWP晶圓拋光漿料。 該公司曾斬獲韓國政府頒發的1000萬美元出口塔(Export Tower)獎，還獲得過SK海力士、SK siltron、SSMC授予的最佳合作夥伴獎項。 這篇文章 Ace nanochem為功率器件和先進封裝開發三種新型半導體材料 最早出現在 睿傳媒 Rightmedia.
Ace nanochem為功率器件和先進封裝開發三種新型半導體材料 - 新頭條-TheHubNews
新型多晶硅漿料、硅裸片晶圓表面處理方案以及玻璃TGV漿料，可以支撐下一代半導體製造，同時該公司正擴大在台灣和日本的業務佈局 韓國首爾2026年11月2日 /美通社/ — 由李宗勳(Jonghoon Lee)擔任首席執行官的韓國半導體材料企業Ace nanochem Co., Ltd.，已經完成三款半導體製造材料解決方案的開發：面向功率溝槽MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）的多晶硅漿料、硅裸片晶圓化學機械拋光(CMP)後的表面處理方案，以及用於玻璃通孔(TGV)加工的漿料。該公司計劃依托這些研發成果，進一步拓展與台灣及日本半導體製造商的業務合作。 Ace nanochem Co., Ltd. has over 20 years of specialized expertise in colloidal silica (SiO_2) nanoparticle control technology. 這三款解決方案可以幫助應對半導體製造中的不同挑戰，覆蓋從功率器件的選擇性拋光，到先進封裝環節的晶圓表面潔淨度與平整度管控等多個場景。 Ace nanochem面向功率溝槽MOSFET的多晶硅漿料，能夠在實現多晶硅高去除速率的同時，最大限度降低對柵氧化層的損傷。該配方在優化拋光性能的同時，可以減少劃痕、顆粒生成、碟形凹陷與侵蝕問題，助力提升製程管控水平與晶圓表面品質。 硅裸片晶圓表面處理方案在化學機械拋光後投入使用，可以提升晶圓表面潤濕性並避免污染附著。該解決方案通過降低拋光後的顆粒附著，滿足後續製造工序嚴苛的表面潔淨度要求。 針對先進半導體封裝場景，Ace nanochem的玻璃TGV漿料，可以對銅塊體、阻擋金屬、裸玻璃等不同物理屬性的材料進行拋光。該產品能夠同步加工這類材料，滿足TGV製造對平整度與表面均勻性的要求。 依托向韓國主要半導體廠商供貨的經驗，Ace nanochem正在著力拓展台灣與日本方面的業務機遇，二者均是全球半導體產業的重要市場。該公司常年參加SEMICON TAIWAN半導體展，並且與領先的晶圓代工廠開展技術合作，以此深化和海外客戶及行業夥伴的合作關係。 Ace nanochem首席執行官李宗勳表示：「這三款產品體現了我們聚焦從功率器件到先進封裝等嚴苛製造工序的半導體材料研發方向。我們計劃依托自身的材料技術與製造能力，深化與台灣、日本及全球其他市場半導體廠商的技術合作。」 關於Ace nanochem Co., Ltd. Ace nanochem Co., Ltd.自1999年12月啟動膠體硅業務以來，已經在膠體二氧化硅(SiO₂)納米顆粒管控技術領域積累了超過20年的專業技能。 該公司擁有全自動化生產線與專屬原料生產設施，公開年產能達6萬噸。Ace nanochem向SK海力士、SK siltron、SSMC、環球晶圓、安靠科技等主要半導體及晶圓廠商供應ACESOLR半導體CMP漿料與ACESOLRWP晶圓拋光漿料。 該公司曾斬獲韓國政府頒發的1000萬美元出口塔(Export Tower)獎，還獲得過SK海力士、SK siltron、SSMC授予的最佳合作夥伴獎項。 新聞來源：PR Newswire 以上新聞投稿內容由PR Newswire 美通社全權自負責任，若有涉及任何違反法令、違反本網站會員條款、有侵害第三人權益之虞，將一概由PR Newswire 美通社承擔法律及損害賠償之責任，與新頭條Thehubnews無關。
Ace nanochem為功率器件和先進封裝開發三種新型半導體材料
新型多晶硅漿料、硅裸片晶圓表面處理方案以及玻璃TGV漿料，可以支撐下一代半導體製造，同時該公司正擴大在台灣和日本的業務佈局 韓國首爾2026年11月2日 /美通社/ -- 由李宗勳(Jonghoon Lee)擔任首席執行官的韓國半導體材料企業Ace nanochem Co., Ltd.，已經完成三款半導體製造材料解決方案的開發：面向功率溝槽MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）的多晶硅漿料、硅裸片晶圓化學機械拋光(CMP)後的表面處理方案，以及用於玻璃通孔(TGV)加工的漿料。該公司計劃依托這些研發成果，進一步拓展與台灣及日本半導體製造商的業務合作。 Ace nanochem Co., Ltd. has over 20 years of specialized expertise in colloidal silica (SiO_2) nanoparticle control technology. 這三款解決方案可以幫助應對半導體製造中的不同挑戰，覆蓋從功率器件的選擇性拋光，到先進封裝環節的晶圓表面潔淨度與平整度管控等多個場景。 Ace nanochem面向功率溝槽MOSFET的多晶硅漿料，能夠在實現多晶硅高去除速率的同時，最大限度降低對柵氧化層的損傷。該配方在優化拋光性能的同時，可以減少劃痕、顆粒生成、碟形凹陷與侵蝕問題，助力提升製程管控水平與晶圓表面品質。 硅裸片晶圓表面處理方案在化學機械拋光後投入使用，可以提升晶圓表面潤濕性並避免污染附著。該解決方案通過降低拋光後的顆粒附著，滿足後續製造工序嚴苛的表面潔淨度要求。 針對先進半導體封裝場景，Ace nanochem的玻璃TGV漿料，可以對銅塊體、阻擋金屬、裸玻璃等不同物理屬性的材料進行拋光。該產品能夠同步加工這類材料，滿足TGV製造對平整度與表面均勻性的要求。 依托向韓國主要半導體廠商供貨的經驗，Ace nanochem正在著力拓展台灣與日本方面的業務機遇，二者均是全球半導體產業的重要市場。該公司常年參加SEMICON TAIWAN半導體展，並且與領先的晶圓代工廠開展技術合作，以此深化和海外客戶及行業夥伴的合作關係。 Ace nanochem首席執行官李宗勳表示：「這三款產品體現了我們聚焦從功率器件到先進封裝等嚴苛製造工序的半導體材料研發方向。我們計劃依托自身的材料技術與製造能力，深化與台灣、日本及全球其他市場半導體廠商的技術合作。」 關於Ace nanochem Co., Ltd. Ace nanochem Co., Ltd.自1999年12月啟動膠體硅業務以來，已經在膠體二氧化硅(SiO₂)納米顆粒管控技術領域積累了超過20年的專業技能。 該公司擁有全自動化生產線與專屬原料生產設施，公開年產能達6萬噸。Ace nanochem向SK海力士、SK siltron、SSMC、環球晶圓、安靠科技等主要半導體及晶圓廠商供應ACESOLR半導體CMP漿料與ACESOLRWP晶圓拋光漿料。 該公司曾斬獲韓國政府頒發的1000萬美元出口塔(Export Tower)獎，還獲得過SK海力士、SK siltron、SSMC授予的最佳合作夥伴獎項。
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享新聞10/31（六）
遊戲基地
10/30（五）
空島探索冒險遊戲《異星遺航》展開搶先體驗 新宣傳影片收錄未公開要素
集英社遊戲今（30）日宣布，由來自瑞典的遊戲開發團隊 Apog Lab 所開發、支援 1～4 人線上合作遊玩的空島探索冒險遊戲《ATMOSFAR - 異星遺航》於 Steam 平台展開搶先體驗，Epic Games Store 平台預定
空島探索冒險遊戲《異星遺航》展開搶先體驗 曝光收錄未公開要素影片
集英社遊戲今（30）日宣布，由來自瑞典的遊戲開發團隊 Apog Lab 所開發、支援 1～4 人線上合作遊玩的空島探索冒險遊戲《ATMOSFAR - 異星遺航》於 Steam 平台展開搶先體驗，Epic Games Store 平台預定日後公開。此外，官方還釋出了收錄先前未公開要素的搶先體驗宣傳影片。 搶先體驗正在全球實施中 眼前是遼闊天空，腳下是茫茫雲海。《異星遺航
PChome Online新聞
巴哈姆特 GNN10/29（四）
德微財報／第3季獲利1.27億元年增逾倍、創逾兩年新高 每股賺2.4元
功率半導體大廠德微（3675）29日公布第3季財報，稅後純益1.27億元，季增20.01%、年增126.15%，每股純益2.4元，獲利及每股純益均創逾兩年新高。受惠全球供應鏈重組、歐美大廠MOSFET訂單及AI高耐壓產品出貨增加，帶動獲利成長，前三季每股純益達5.91元。
聯合新聞網偏藍德微財報／第3季獲利1.27億元年增逾倍、創逾兩年新高 每股賺2.4元
功率半導體大廠德微（3675）29日公布第3季財報，稅後純益1.27億元，季增20.01%、年增126.15%，每股純益2.4元，獲利及每股純益均創逾兩年新高。受惠全球供應鏈重組、歐美大廠MOSFET訂單及AI高耐壓產品出貨增加，帶動獲利成長，前三季每股純益達5.91元。
自由時報偏綠德微Q3稅後淨利年增逾1.2倍 每股賺2.4元
〔記者方韋傑／台北報導〕功率半導體廠德微（3675）受惠全球供應鏈重組帶動客戶訂單成長，歐美大廠MOSFET訂單挹注，加上AI相關800V高耐壓產品穩健出貨，推升第三季營收達9.08億元，稅後純
10/28（三）
科技新報
10/27（二）
光鼎法說會／功率半導體獲認證出貨 明年啟動原廠直攻美印
LED封裝廠光鼎（6226）27日召開法說會，公司指出，為擺脫近年傳統LED市場殺價競爭與大陸紅色供應鏈補貼帶來的營運衝擊，全力推動體質轉型，積極由傳統LED封裝跨足高附加價值應用領域，旗下IGBT與碳化矽（SiC）MOSFET等功率半導體新事業布局已於今年大致到位，明年起成長力度將全面加大，不僅成功打入大型太陽能逆變器案場並依序出貨，美印市場更啟動原廠直攻策略，全力衝刺全球市占率。
- 聯合新聞網偏藍
光鼎法說會／功率半導體獲認證出貨 明年啟動原廠直攻美印
LED封裝廠光鼎（6226）27日召開法說會，公司指出，為擺脫近年傳統LED市場殺價競爭與大陸紅色供應鏈補貼帶來的營運衝擊，全力推動體質轉型，積極由傳統LED封裝跨足高附加價值應用領域，旗下IGBT與碳化矽（SiC）MOSFET等功率半導體新事業布局已於今年大致到位，明年起成長力度將全面加大，不僅成功打入大型太陽能逆變器案場並依序出貨，美印市場更啟動原廠直攻策略，全力衝刺全球市占率。
- 聯合新聞網偏藍
光鼎法說會／功率半導體獲認證出貨 明年啟動原廠直攻美印
LED封裝廠光鼎（6226）27日召開法說會，公司指出，為擺脫近年傳統LED市場殺價競爭與大陸紅色供應鏈補貼帶來的營運衝擊，全力推動體質轉型，積極由傳統LED封裝跨足高附加價值應用領域，旗下IGBT與碳化矽（SiC）MOSFET等功率半導體新事業布局已於今年大致到位，明年起成長力度將全面加大，不僅成功打入大型太陽能逆變器案場並依序出貨，美印市場更啟動原廠直攻策略，全力衝刺全球市占率。
10/21（三）
AI供電架構大洗牌 德微小訊號元件用量看增十倍 封裝擴產、訂單滿載
AI伺服器電源架構迎來重大變革，功率半導體需求也跟著改寫。德微科技看好隨AI伺服器從傳統集中式供電走向原生多相供電（Native Multi-phase）及分散式電源管理，繪圖處理器（GPU）、中央處理器（CPU）、網路處理器（NPU）及特殊應用晶片（ASIC）需要更精準、獨立的電壓與電流控制，將帶動小訊號封裝、MOSFET及電源保護元件用量倍增，部分應用甚至具有十倍成長潛力，成為2027年營運重要成長引擎。
- 聯合新聞網偏藍
AI供電架構大洗牌 德微小訊號元件用量看增十倍 封裝擴產、訂單滿載
AI伺服器電源架構迎來重大變革，功率半導體需求也跟著改寫。德微科技看好隨AI伺服器從傳統集中式供電走向原生多相供電（Native Multi-phase）及分散式電源管理，繪圖處理器（GPU）、中央處理器（CPU）、網路處理器（NPU）及特殊應用晶片（ASIC）需要更精準、獨立的電壓與電流控制，將帶動小訊號封裝、MOSFET及電源保護元件用量倍增，部分應用甚至具有十倍成長潛力，成為2027年營運重要成長引擎。
10/14（三）
優達科技（UfiSpace）於 2026 OCP 全球高峰會展示 1.6T AI 網路架構，動態實測液冷平台驗證散熱可…
加州聖荷西2026年10月14日 /美通社/ -- 開放網路解決方案領導廠商優達科技（UfiSpace）宣布，於 2026 年 OCP 全球高峰會（OCP Global Summit 2026，攤位號碼 D19）展出其最新技術成果。隨著新一代 AI 運算負載不斷推升超大規模資料中心（Hyperscale Data Center）的功率密度，並帶來嚴苛的散熱限制，UfiSpace 於現場動態展示其 1.6T 液冷 AI 網路平台，實證了未來 AI 網路架構的散熱可行性與系統級成熟度。 解決 1.6T 散熱挑戰：Tomahawk 6 雙軌創新方案 本次 UfiSpace 攤位的最大亮點，為搭載 Broadcom Tomahawk 6 晶片的 102.4Tbps 2OU ORv3 液冷平台S9331-64HO3L的動態實測展示。該平台配備 64 個 1.6T OSFP 連接埠，並搭配液冷系統（CDU）運作以提供即時冷卻能力，進而驗證次世代 AI 網路的系統級散熱可行性。作為可隨時驗證的早期導入架構，S9331-64HO3L 為超大規模資料中心與系統整合商提供了一個即時且可運作的概念驗證（Po
優達科技（UfiSpace）於 2026 OCP 全球高峰會展示 1.6T AI 網路架構，動態實測液冷平台驗證散熱可…
加州聖荷西2026年10月14日 /美通社/ — 開放網路解決方案領導廠商優達科技（UfiSpace）宣布，於 2026 年 OCP 全球高峰會（OCP Global Summit 2026，攤位號碼 D19）展出其最新技術成果。隨著新一代 AI 運算負載不斷推升超大規模資料中心（Hyperscale Data Center）的功率密度，並帶來嚴苛的散熱限制，UfiSpace 於現場動態展示其 1.6T 液冷 AI 網路平台，實證了未來 AI 網路架構的散熱可行性與系統級成熟度。 解決 1.6T 散熱挑戰：Tomahawk 6 雙軌創新方案 本次 UfiSpace 攤位的最大亮點，為搭載 Broadcom Tomahawk 6 晶片的 102.4Tbps 2OU ORv3 液冷平台S9331-64HO3L的動態實測展示。該平台配備 64 個 1.6T OSFP 連接埠，並搭配液冷系統（CDU）運作以提供即時冷卻能力，進而驗證次世代 AI 網路的系統級散熱可行性。作為可隨時驗證的早期導入架構，S9331-64HO3L 為超大規模資料中心與系統整合商提供了一個即時且可運作的概念驗證（PoC），協助其建構 2027 至 2028 年 AI 叢集所需的散熱與機構設計。 考量到資料中心基礎設施轉型期的現況，UfiSpace 亦同步展出 3RU 氣冷式 102.4Tbps 平台S9331-64HO。該平台專為具備高度最佳化氣冷基礎設施的超大規模資料中心所設計，為特定區域提供擴展頻寬的高效能替代方案。透過採用此開放式解聚合架構，營運商不僅能最大化頻寬密度並優化總體擁有成本（TCO），更能為未來廣泛導入液冷技術打下無縫接軌的基礎。 透過深層緩衝記憶體路由器實現Scale-Across AI 互連 為解決分散式 AI 資料中心（Scale-Across / DCI）之間無損封包傳輸的需求，UfiSpace 搭載 Broadcom Qumran 晶片開發出次世代路由器產品陣容： S9630-32HO（採用 Qumran 4D）：這款 3RU 路由器搭載次世代路由晶片，提供高達 51.2Tbps 的交換容量。具備 32GB 內建深層封包緩衝記憶體與 32 個 1.6T OSFP 連接埠。專為消除長距離 AI 叢集通訊中的網路壅塞與高延遲（Buffer Bloat）與封包遺失所設計，可作為AI 網路架構中的超大容量閘道器。 S9620-32E（採用 Qumran 3D）：為一款 2RU、25.6Tbps 的深層緩衝平台。配備 32 個 800G QSFP-DD 介面，並支援 OpenZR+ 同調光學技術，為跨站點的 AI 基礎設施提供靈活的邊緣（Edge）與骨幹（Spine）路由功能。 專為 AI 架構打造的 800G 基礎設施 展區的另一亮點是 UfiSpace 專為嚴苛 AI 負載所打造的高密度 800G 交換器平台S9322-64EO。該平台搭載 Broadcom Tomahawk Ultra 晶片（64 x 800G OSFP），提供進階的認知路由（Cognitive Routing）與超低延遲效能，專為為 AI 運算叢集互連而生。S9322-64EO 嚴格遵循開放網路規範，可簡化高密度GPU 叢集的部署流程，確保在密集的 AI 訓練負載下仍能提供毫不妥協的傳輸吞吐量。 整合乙太網路與光交換解決方案，推動 AI Scale-Out 與 Scale-Across 基礎設施 UfiSpace 此次也宣布攜手 GeNopsys Technologies，共同推進 AI 的Scale-Out與Scale-Across基礎設施。該解決方案整合了 UfiSpace 高效能的 S9321-64E（搭載 Tomahawk 5 晶片、具備 64 個 800G QSFP-DD 埠的 800G 乙太網路交換器）與 GeNopsys 的動態光路交換（OvCS）技術，為次世代 AI 基礎設施打造完整的垂直網路平台。UfiSpace 的硬體無損引擎採用 SmartBuffer 與動態負載平衡技術，提供乙太網路互通性與零掉包效能。GeNopsys 的全光交換技術則透過消除光電光（O-E-O）轉換，實現高吞吐量、縮短 AI 訓練時間，並降低 AI 資料中心的整體能耗。藉由結合乙太網路交換與光學交換的優勢，此整合方案為包含長距離 DCI 在內的網路，帶來超低延遲、顯著節能、超大頻寬與無縫擴展性。 GeNopsys 創辦人暨執行長 Maria Yuang 表示：「我們與 UfiSpace 的合作，將乙太網路的靈活性與光交換的變革性影響力相互結合，應用於 AI 網路的向外與跨域擴展。雙方聯手能加速 AI 訓練並大幅降低資料中心的整體能源消耗，這正是當今 AI 資
優達科技（UfiSpace）於 2026 OCP 全球高峰會展示 1.6T AI 網路架構，動態實測液冷平台驗證散熱可…
加州聖荷西2026年10月14日 /美通社/ — 開放網路解決方案領導廠商優達科技（UfiSpace）宣布，於 2026 年 OCP 全球高峰會（OCP Global Summit 2026，攤位號碼 D19）展出其最新技術成果。隨著新一代 AI 運算負載不斷推升超大規模資料中心（Hyperscale Data Center）的功率密度，並帶來嚴苛的散熱限制，UfiSpace 於現場動態展示其 1.6T 液冷 AI 網路平台，實證了未來 AI 網路架構的散熱可行性與系統級成熟度。 解決 1.6T 散熱挑戰：Tomahawk 6 雙軌創新方案 本次 UfiSpace 攤位的最大亮點，為搭載 Broadcom Tomahawk 6 晶片的 102.4Tbps 2OU ORv3 液冷平台S9331-64HO3L的動態實測展示。該平台配備 64 個 1.6T OSFP 連接埠，並搭配液冷系統（CDU）運作以提供即時冷卻能力，進而驗證次世代 AI 網路的系統級散熱可行性。作為可隨時驗證的早期導入架構，S9331-64HO3L 為超大規模資料中心與系統整合商提供了一個即時且可運作的概念驗證（PoC），協助其建構 2027 至 2028 年 AI 叢集所需的散熱與機構設計。 考量到資料中心基礎設施轉型期的現況，UfiSpace 亦同步展出 3RU 氣冷式 102.4Tbps 平台S9331-64HO。該平台專為具備高度最佳化氣冷基礎設施的超大規模資料中心所設計，為特定區域提供擴展頻寬的高效能替代方案。透過採用此開放式解聚合架構，營運商不僅能最大化頻寬密度並優化總體擁有成本（TCO），更能為未來廣泛導入液冷技術打下無縫接軌的基礎。 透過深層緩衝記憶體路由器實現Scale-Across AI 互連 為解決分散式 AI 資料中心（Scale-Across / DCI）之間無損封包傳輸的需求，UfiSpace 搭載 Broadcom Qumran 晶片開發出次世代路由器產品陣容： S9630-32HO（採用 Qumran 4D）：這款 3RU 路由器搭載次世代路由晶片，提供高達 51.2Tbps 的交換容量。具備 32GB 內建深層封包緩衝記憶體與 32 個 1.6T OSFP 連接埠。專為消除長距離 AI 叢集通訊中的網路壅塞與高延遲（Buffer Bloat）與封包遺失所設計，可作為AI 網路架構中的超大容量閘道器。 S9620-32E（採用 Qumran 3D）：為一款 2RU、25.6Tbps 的深層緩衝平台。配備 32 個 800G QSFP-DD 介面，並支援 OpenZR+ 同調光學技術，為跨站點的 AI 基礎設施提供靈活的邊緣（Edge）與骨幹（Spine）路由功能。 專為 AI 架構打造的 800G 基礎設施 展區的另一亮點是 UfiSpace 專為嚴苛 AI 負載所打造的高密度 800G 交換器平台S9322-64EO。該平台搭載 Broadcom Tomahawk Ultra 晶片（64 x 800G OSFP），提供進階的認知路由（Cognitive Routing）與超低延遲效能，專為為 AI 運算叢集互連而生。S9322-64EO 嚴格遵循開放網路規範，可簡化高密度GPU 叢集的部署流程，確保在密集的 AI 訓練負載下仍能提供毫不妥協的傳輸吞吐量。 整合乙太網路與光交換解決方案，推動 AI Scale-Out 與 Scale-Across 基礎設施 UfiSpace 此次也宣布攜手 GeNopsys Technologies，共同推進 AI 的Scale-Out與Scale-Across基礎設施。該解決方案整合了 UfiSpace 高效能的 S9321-64E（搭載 Tomahawk 5 晶片、具備 64 個 800G QSFP-DD 埠的 800G 乙太網路交換器）與 GeNopsys 的動態光路交換（OvCS）技術，為次世代 AI 基礎設施打造完整的垂直網路平台。UfiSpace 的硬體無損引擎採用 SmartBuffer 與動態負載平衡技術，提供乙太網路互通性與零掉包效能。GeNopsys 的全光交換技術則透過消除光電光（O-E-O）轉換，實現高吞吐量、縮短 AI 訓練時間，並降低 AI 資料中心的整體能耗。藉由結合乙太網路交換與光學交換的優勢，此整合方案為包含長距離 DCI 在內的網路，帶來超低延遲、顯著節能、超大頻寬與無縫擴展性。 GeNopsys 創辦人暨執行長 Maria Yuang 表示：「我們與 UfiSpace 的合作，將乙太網路的靈活性與光交換的變革性影響力相互結合，應用於 AI 網路的向外與跨域擴展。雙方聯手能加速 AI 訓練並大幅降低資料中心的整體能源消耗，這正是當今 AI 資
優達科技（UfiSpace）於 2026 OCP 全球高峰會展示 1.6T AI 網路架構，動態實測液冷平台驗證散熱可…
加州聖荷西2026年10月14日 /美通社/ -- 開放網路解決方案領導廠商優達科技（UfiSpace）宣布，於 2026 年 OCP 全球高峰會（OCP Global Summit 2026，攤位號碼 D19）展出其最新技術成果。隨著新一代 AI 運算負載不斷推升超大規模資料中心（Hyperscale Data Center）的功率密度，並帶來嚴苛的散熱限制，UfiSpace 於現場動態展示其 1.6T 液冷 AI 網路平台，實證了未來 AI 網路架構的散熱可行性與系統級成熟度。 解決 1.6T 散熱挑戰：Tomahawk 6 雙軌創新方案 本次 UfiSpace 攤位的最大亮點，為搭載 Broadcom Tomahawk 6 晶片的 102.4Tbps 2OU ORv3 液冷平台S9331-64HO3L的動態實測展示。該平台配備 64 個 1.6T OSFP 連接埠，並搭配液冷系統（CDU）運作以提供即時冷卻能力，進而驗證次世代 AI 網路的系統級散熱可行性。作為可隨時驗證的早期導入架構，S9331-64HO3L 為超大規模資料中心與系統整合商提供了一個即時且可運作的概念驗證（PoC），協助其建構 2027 至 2028 年 AI 叢集所需的散熱與機構設計。 考量到資料中心基礎設施轉型期的現況，UfiSpace 亦同步展出 3RU 氣冷式 102.4Tbps 平台S9331-64HO。該平台專為具備高度最佳化氣冷基礎設施的超大規模資料中心所設計，為特定區域提供擴展頻寬的高效能替代方案。透過採用此開放式解聚合架構，營運商不僅能最大化頻寬密度並優化總體擁有成本（TCO），更能為未來廣泛導入液冷技術打下無縫接軌的基礎。 透過深層緩衝記憶體路由器實現Scale-Across AI 互連 為解決分散式 AI 資料中心（Scale-Across / DCI）之間無損封包傳輸的需求，UfiSpace 搭載 Broadcom Qumran 晶片開發出次世代路由器產品陣容： S9630-32HO（採用 Qumran 4D）：這款 3RU 路由器搭載次世代路由晶片，提供高達 51.2Tbps 的交換容量。具備 32GB 內建深層封包緩衝記憶體與 32 個 1.6T OSFP 連接埠。專為消除長距離 AI 叢集通訊中的網路壅塞與高延遲（Buffer Bloat）與封包遺失所設計，可作為AI 網路架構中的超大容量閘道器。 S9620-32E（採用 Qumran 3D）：為一款 2RU、25.6Tbps 的深層緩衝平台。配備 32 個 800G QSFP-DD 介面，並支援 OpenZR+ 同調光學技術，為跨站點的 AI 基礎設施提供靈活的邊緣（Edge）與骨幹（Spine）路由功能。 專為 AI 架構打造的 800G 基礎設施 展區的另一亮點是 UfiSpace 專為嚴苛 AI 負載所打造的高密度 800G 交換器平台S9322-64EO。該平台搭載 Broadcom Tomahawk Ultra 晶片（64 x 800G OSFP），提供進階的認知路由（Cognitive Routing）與超低延遲效能，專為為 AI 運算叢集互連而生。S9322-64EO 嚴格遵循開放網路規範，可簡化高密度GPU 叢集的部署流程，確保在密集的 AI 訓練負載下仍能提供毫不妥協的傳輸吞吐量。 整合乙太網路與光交換解決方案，推動 AI Scale-Out 與 Scale-Across 基礎設施 UfiSpace 此次也宣布攜手 GeNopsys Technologies，共同推進 AI 的Scale-Out與Scale-Across基礎設施。該解決方案整合了 UfiSpace 高效能的 S9321-64E（搭載 Tomahawk 5 晶片、具備 64 個 800G QSFP-DD 埠的 800G 乙太網路交換器）與 GeNopsys 的動態光路交換（OvCS）技術，為次世代 AI 基礎設施打造完整的垂直網路平台。UfiSpace 的硬體無損引擎採用 SmartBuffer 與動態負載平衡技術，提供乙太網路互通性與零掉包效能。GeNopsys 的全光交換技術則透過消除光電光（O-E-O）轉換，實現高吞吐量、縮短 AI 訓練時間，並降低 AI 資料中心的整體能耗。藉由結合乙太網路交換與光學交換的優勢，此整合方案為包含長距離 DCI 在內的網路，帶來超低延遲、顯著節能、超大頻寬與無縫擴展性。 GeNopsys 創辦人暨執行長 Maria Yuang 表示：「我們與 UfiSpace 的合作，將乙太網路的靈活性與光交換的變革性影響力相互結合，應用於 AI 網路的向外與跨域擴展。雙方聯手能加速 AI 訓練並大幅降低資料中心的
10/13（二）
AI資料中心拚高效能！鴻海瞄準供電、散熱深化布局
【緯來新聞網】鴻海科技集團（2317）持續擴大AI基礎設施布局！於2026 OCP Global Summit大秀新一代AI Rack技術，展現從運算系統、高速互連到電力供應及液冷散熱的垂直整合實力。集團鴻佰科技（Ingrasys）則展出NVIDIA Vera Rubin NVL72 平台等一系列最新AI運算方案，及對基於NVIDIA MGX 架構NVIDIA Vera Rubin 平台的完整產品支援；鴻騰精密（HKG：6088）則聚焦AI資料中心高速互連、供電與散熱需求，全面深化鴻海從關鍵零組件、Compute Tray到Rack-scale System的AI基礎設施布局。本次展會，集團聚焦NVIDIA Vera Rubin新世代AI運算平台。其中，鴻佰所展示NVIDIA Vera Rubin NVL72 平台鎖定前沿模型訓練與大規模AI推論，透過高度協同設計，AI推論每瓦效能最高可達NVIDIA Blackwell平台的10倍，並透過自動化產線支援規模化生產，兼顧快速量產與品質。同場展出的NVIDIA Groq 3 LPX Rack 及 Compute Tray，以高頻寬、低延遲效能支援Agentic AI推論；NVIDIA Vera CPU Rack Compute Tray則採高密度液冷設計，單一機櫃最多可配置256顆Vera CPU，可支援22,500個Sandboxes，針對Agentic AI、強化學習（RL）及資料處理等關鍵工作負載，提供最高2倍效能。 此外，鴻佰亦展出NVIDIA HGX Rubin NVL8平台，鎖定基礎模型訓練及高效能AI推論；以及搭載8顆NVIDIA RTX PRO 6000 Blackwell Server Edition GPU與2顆Intel Xeon 6處理器的NVIDIA MGX 4U架構，支援企業AI推論、多模態AI及視覺運算等多元工作負載。面對AI運算密度與機櫃功耗快速攀升，集團本次也進一步展示對於NVIDIA MGX架構的完整產品支援，現場從伺服器機箱、機櫃延伸至電力供應與液冷散熱等關鍵環節，串聯AI Rack內部所需的核心基礎設施。本次展出的全新超高密度互連技術（UDI）與ZQD，為NVIDIA MGX Ecosystem Wall中針對 Vera Rubin的關鍵新品，進一步強化集團在高密度AI Rack關鍵零組件、供電及液冷架構的技術布局。透過運算平台與機櫃級基礎設施的整合，集團持續將AI伺服器製造能力向Rack-level延伸，提供客戶更完整的次世代AI基礎設施支援。AI Rack不僅需要更強大的運算效能，頻寬、供電及散熱能力也成為支撐下一波AI算力成長的關鍵。FIT此次同步展示1.6T OSFP及12.8T XPO（eXtra Dense Pluggable Optics）等先進平台。其中，1.6T OSFP涵蓋DAC、ACC、ARC及AEC高速線纜產品組合，並整合32埠OSFP液冷方案，支援高功率交換器機箱需求。12.8T XPO高密度可插拔光學平台則進一步整合高速電氣互連、光學連接與直接液冷技術，因應AI運算快速提升所帶來的頻寬、功耗及散熱挑戰，提升訊號完整性、連接埠密度與能源效率，滿足次世代AI及超大規模資料中心網路需求。在供電與散熱方面，FIT亦展示最高達480kW液冷Busbar系統、最高400A高電流AC Whips，以及符合OCP規範的UQD／UQDB液冷快速接頭，支援超高密度AI機櫃的供電與熱管理需求；高速互連方面則導入PAM4技術，支援PCIe 6.0／7.0及224G／448G SerDes，並展示新一代CPU、CPO及NPO Socket技術。此外，鴻海持續攜手Intel深化AI基礎設施合作，雙方以Intel Xeon平台為基礎，共同推進Rack-scale Agentic AI解決方案，透過高密度運算與機櫃級系統整合，支援Agentic AI應用部署，進一步擴大AI生態系合作。從NVIDIA Vera Rubin 平台、MGX 架構，到高速互連、供電、液冷及Agentic AI Rack，鴻海此次OCP展示進一步串聯AI資料中心的關鍵技術環節，呈現集團從Components、Compute Tray到Rack-scale System的全棧布局。隨著AI基礎設施持續朝高密度、高功率及液冷架構演進，鴻海將持續發揮垂直整合、全球製造及快速量產優勢，攜手全球生態系夥伴加速次世代AI基礎設施落地。
緯來新聞網10/11（日）
奧丁丁新聞
10/8（四）
空島探索生存遊戲《異星遺航》搶先體驗 10 月底登場 新宣傳影片展示多個場景面貌
由集英社遊戲發行、獨立遊戲開發團隊 Apog Labs 製作的空島探索生存遊戲《異星遺航（ATMOSFAR）》確認將於 10 月 29 日（台灣時間 10 月 30 日）展開搶先體驗。 《異星遺航》是一款可支援 1 到 4 人合作的生存遊戲，玩家將一起探索多樣生物群落，應對瞬息萬變的氣候，如雷暴、暴雪與沙塵暴。本作舞台設定在名為「泰柯斯星」的星球上，這裡
專訪》AI 營收明年占比拚 15%，強茂押中壓 MOSFET 搶攻 CSP 商機
AI 需求正逐步改變強茂產品結構。強茂營運長陳佐銘表示，今年 AI 相關應用營收占比預估約 12%，隨 AI 伺服器功率持續攀升，中壓 MOSFET 將成下一階段成長主力，並已與主要 CSP 展開合作；未來也將布局 SiC MOSFET 及相關封裝，擴大高功率應用版圖，力拼明年 AI 營收佔比超過 ...
10/7（三）
功率元件行情為何又起飛？ AI伺服器供電全面高規化 「一站式受惠股」浮現
這些元件不需要負責運算，但所有電子產品只要需要穩定供電，就離不開它們。以ＡＩ伺服器為例，前端要把交流電轉成直流電，需要整流二極體與橋式整流器；中段要做功率因數校正與電壓轉換，需要高壓MOSFET、Super Junction MOSFET，甚至SiC、GaN元件，要替GPU/CPU、記憶體提供穩定電壓，需要低壓大電流MOSFET與電源管理元件；同時，整套系統還需要TVS/ESD保護元件防止突波與靜電破壞。當ＡＩ伺服器功耗提升，功率元件的用量與規格都會同步升級。 這也是為什麼近期市場把功率元件與被動元件一起看待，兩者不是同一類產品，但都存在於同一套電源系統，功率元件負責開關、整流與保護，被動元件則負責濾波、儲能、穩壓與降噪。MOSFET高速切換時，需要電感儲能、電容濾波、MLCC穩壓、電阻偵測電流。換句話說，ＡＩ資料中心供電升級，不會只帶動單一零件，而是讓整個電源架構全面高規化。現在市場看功率元件，則是看電源轉換效率、耐壓能力、大電流承載與高可靠度。 這一波功率元件行情，最核心的關鍵在於ＡＩ伺服器電力架構升級。傳統伺服器多以12V供電為主，但隨著功耗快速提高，資料中心開始導入48V架
