中央社

長庚大學攜日本突破二維半導體瓶頸 為次世代晶片奠基

作者 陳至中全文約 745 字

文章摘要

中央社 · 文章頁摘要

長庚大學前瞻後矽異質材料中心主任童俊智與日本團隊合作,克服二維半導體瓶頸,成功在2吋晶圓上生長出單層硼碳氮(BCN)的p型半導體材料,為次世代晶片研發奠定基礎。

長庚大學攜日本突破二維半導體瓶頸 為次世代晶片奠基(新聞配圖)
配圖來源:中央社

(中央社記者陳至中台北3日電)長庚大學前瞻後矽異質材料中心主任童俊智與日本團隊合作,克服二維半導體瓶頸,成功在2吋晶圓上生長出單層硼碳氮(BCN)的p型半導體材料,為次世代晶片研發奠定基礎。這項研究近日登上國際頂尖期刊Nature(自然),由長庚大學、台灣大學、陽明交通大學、中央研究院、以及日本東京...