放言長庚大學攜日本突破二維半導體瓶頸 為次世代晶片奠基
文章摘要
放言 · 文章頁摘要（中央社記者陳至中台北3日電）長庚大學前瞻後矽異質材料中心主任童俊智與日本團隊合作，克服二維半導體瓶頸，成功在2吋晶圓上生長出單層硼碳氮（BCN）的p型半導體材料，為次世代晶片研發奠定基礎。
（中央社記者陳至中台北3日電）長庚大學前瞻後矽異質材料中心主任童俊智與日本團隊合作，克服二維半導體瓶頸，成功在2吋晶圓上生長出單層硼碳氮（BCN）的p型半導體材料，為次世代晶片研發奠定基礎。 這項研究近日登上國際頂尖期刊Nature（自然），由長庚大學、台灣大學、陽明交通大學、中央研究院、以及日本東...