突破下世代晶片瓶頸！ 台日團隊研發二維半導體登Nature

下世代半導體技術迎來突破！隨著 AI、高效能運算與 3D晶片快速發展，半導體產業正積極尋求能取代傳統矽材料的新世代「二維半導體」。長庚大學攜手台灣、日本跨國研究團隊，成功突破國際長年瓶頸，開發出全球罕見、可晶圓級製造的高遷移率p型「硼碳氮（BCN）」二維半導體，研究成果獲國際頂尖期刊《Nature》刊登，為未來 AI晶片與3D積體電路商用化開創新契機。此學術成果是由長庚大學「前瞻後矽異質材料中心」主任童俊智領軍，匯聚東京大學、台灣大學、陽明交通大學、中央研究院及等台日頂尖科研機構。研究團隊精準調控硼、碳、氮原子在表面反應中的釋放時序與結合路徑，克服傳統 BCN 合成中碳原子容易形成石墨烯相分離、難以均勻嵌入氮化硼晶格的問題，成功在2吋晶圓上生長出單層BCN的p型半導體材料。該材料結構連續、厚度僅一個原子（約0.5奈米），同時兼具高遷移率及晶圓級均勻性。