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三星新一代 M2800 基頻晶片將以 2 奈米打造,空下 4 奈米以生產 HBM 基礎晶片

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韓媒報導,三星電子(Samsung Electronics)正在針對旗下行動基頻晶片的製程技術與晶圓代工產能進行重組。業界消息指出,三星系統LSI部門(System LSI Business)決議將下一代外掛式 5G 基頻晶片採行 2 奈米製程,並將原有的4奈米產能大幅轉向高頻寬記憶體(HBM)基礎...

三星新一代 M2800 基頻晶片將以 2 奈米打造,空下 4 奈米以生產 HBM 基礎晶片(新聞配圖)
配圖來源:科技新報

韓媒報導,三星電子(Samsung Electronics)正在針對旗下行動基頻晶片的製程技術與晶圓代工產能進行重組。業界消息指出,三星系統LSI部門(System LSI Business)決議將下一代外掛式 5G 基頻晶片採行 2 奈米製程,並將原有的4奈米產能大幅轉向高頻寬記憶體(HBM)基礎...