聯合新聞網輝達HBM採用權王3奈米
作者 陳苓全文約 310 字
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聯合新聞網 · 文章頁摘要韓媒報導，輝達要求其客製化高頻寬記憶體（HBM），基礎晶粒（base die）部分須使用台積電3奈米，原因之一是台積良率超過90%，三星電子因此須與台積電攜手。
韓媒報導，輝達要求其客製化高頻寬記憶體（HBM），基礎晶粒（base die）部分須使用台積電（2330）3奈米，原因之一是台積良率超過90%，三星電子因此須與台積電攜手。 首爾經濟日報報導，業界人士透露，輝達與三星電子、台積電，共同設計輝達記憶體「NVHBM」的基礎晶粒。...