世界新聞網傳Nvidia要求自家HBM基礎晶粒 須用台積製程 三星配合
作者 陳苓全文約 925 字
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世界新聞網 · 文章頁摘要韓國消息指出，輝達（Nvidia，又稱英偉達）要求該公司的客製化高頻寬記憶體（HBM），基礎晶粒（base die）部分須使用台積電的3奈米製程，原因之一是台積良率超過90%，三星電子因此須與台積攜手。
輝達傳要求客製化HBM的基礎晶粒改由台積電3奈米製程生產，主因是良率與產能更穩定，並可提升NVHBM性能與降低功耗。 韓國消息指出，輝達（Nvidia，又稱英偉達）要求該公司的客製化高頻寬記憶體（HBM），基礎晶粒（base die）部分須使用台積電的3奈米製程，原因之一是台積良率超過90%，三星電...