國研院攜手汎銓科技突破低溫鍍膜技術 助攻新世代半導體檢測

因應半導體先進製程持續微縮，國科會轄下國研院國儀中心攜手汎銓科技股份有限公司，成功突破新一代「高數值孔徑極紫外光」（High-NA EUV）光阻材料微影製程後的結構分析瓶頸。團隊透過低於攝氏100度的原子層沉積鍍膜技術，在金屬氧化物光阻劑表面形成奈米級保護層，降低後續檢測分析對結構造成的損傷，提升分析結果的準確性。 國研院表示，這是全球首度針對此製程成功鍍膜的研究成果，相關技術已獲全球極紫外光微影設備龍頭艾司摩爾（ASML）於國際學術論壇引用，並協助汎銓科技打入國際大型半導體設備商與製造商的製程驗證分析服務供應鏈，展現臺灣在先進半導體材料檢測與驗證領域的研發實力。 先為奈米結構加上保護層 提升分析準確性 隨著半導體製程朝埃米（Angstrom）尺度發展，微影技術也進一步邁向High-NA EUV，以製作更精細的電路圖案。金屬氧化物光阻劑（Metal Oxide Resist，MOR）是搭配這項技術的關鍵材料之一，有助於形成更精細、邊緣更平滑的圖案，提升製程效能與良率。 新世代微影製程對結構品質與尺寸精度的要求更高，因此需要透過精密檢測，剖析微影曝光後的化學變化與奈米結構，作為