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國研院攜手汎銓突破EUV分析瓶頸 助打入3大設備廠商機

作者 呂俊儀全文約 1,306 字

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國科會轄下國研院國儀中心攜手半導體材料分析廠汎銓,在2奈米以下檢測技術有新突破,國研院27日舉辦記者會,與汎銓一同宣布攻克「高數值孔徑極紫外光」(High-NA EUV)光阻材料微影製程後,以鍍膜技術強化晶圓上的奈

國研院攜手汎銓突破EUV分析瓶頸 助打入3大設備廠商機(新聞配圖)
配圖來源:中時新聞網

國科會轄下國研院國儀中心攜手半導體材料分析廠汎銓,在2奈米以下檢測技術有新突破,國研院27日舉辦記者會,與汎銓一同宣布攻克「高數值孔徑極紫外光」(High-NA EUV)光阻材料微影製程後,以鍍膜技術強化晶圓上的奈米結構,解決檢測誤判問題,是全世界第一個對此製程成功鍍膜的研究成果。...