國研院偕汎銓科技攻克新技術 助國內廠商打入國際半導體供應鏈

高階半導體用鍍膜強化晶圓結構並做後續檢測時，常有電路遭破壞等情況，國研院國家儀器科技研究中心（國儀中心）偕國內半導體材料分析大廠汎銓科技攻克「高數值孔徑極紫外光」的光阻材料微影製程，用鍍膜技術強化晶圓結構後的分析檢測技術，讓整體檢測所需時程減少1年以上。確保半導體的2奈米製程線寬需要檢測技術，但相關技術遇到瓶頸，為解決產業痛點，國研院和國內大廠汎銓科技合作，首先由國儀中心結合儀器設備開發經驗與真空製程核心技術建置「先進半導體材料分析技術研發平台」，用最新的原子層沉積設備和技術，滿足業界需要的高品質鍍膜需求，之後再由汎銓科技運用該平台針對不同材料和分析情境調校製程參數，可驗證客戶製作的晶圓或材料是否符合設定規格等。