中央社國研院攜手汎銓科技 突破EUV光阻分析技術
作者 趙敏雅全文約 1,067 字
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中央社 · 文章頁摘要國研院國儀中心攜手汎銓科技，攻克新一代高數值孔徑極紫外光（High-NA EUV）光阻材料微影製程後，以鍍膜技術強化晶圓上奈米結構，進行後續檢測分析，這項成果協助汎銓科技打入全球大型半導體設備商與製造商的製程供應鏈。
（中央社記者趙敏雅台北27日電）國研院國儀中心攜手汎銓科技，攻克新一代高數值孔徑極紫外光（High-NA EUV）光阻材料微影製程後，以鍍膜技術強化晶圓上奈米結構，進行後續檢測分析，這項成果協助汎銓科技打入全球大型半導體設備商與製造商的製程供應鏈。...