中時新聞網三星電子應輝達要求 採用台積電3奈米製程生產下一代HBM基礎晶粒
作者 王紫涵全文約 694 字
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中時新聞網 · 文章頁摘要三星電子接受輝達的技術要求，將採用台積電的3奈米製程，生產輝達下一代客製化高頻寬記憶體（HBM）的基礎晶粒（base die）。四年前，三星曾與台積電合作，確保在連接HBM到圖形處理單元時與台積電的封裝工藝兼容，但
三星電子接受輝達的技術要求，將採用台積電的3奈米製程，生產輝達下一代客製化高頻寬記憶體（HBM）的基礎晶粒（base die）。四年前，三星曾與台積電合作，確保在連接HBM到圖形處理單元時與台積電的封裝工藝兼容，但這是雙方首次從HBM製造階段開始合作。...