中天新聞網重磅合作！傳輝達指定三星HBM底層晶片 採台積電3奈米製程
作者 鄭緯浩全文約 485 字
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中天新聞網 · 文章頁摘要三星電子將採用台積電3奈米製程，生產輝達下一代客製化高頻寬記憶體（HBM）的核心元件底層晶片（Base Die）。業界人士指出，輝達已要求三星、SK海力士及美光三大供應商，統一採用台積電3奈米製程製造底層晶片，並將核心記憶體晶片統一採用第六代DRAM製程1c，以確保不同供應商產品的效能一致。
三星電子將採用台積電3奈米製程，生產輝達下一代客製化高頻寬記憶體（HBM）的核心元件底層晶片（Base Die）。業界人士指出，輝達已要求三星、SK海力士及美光三大供應商，統一採用台積電3奈米製程製造底層晶片，並將核心記憶體晶片統一採用第六代DRAM製程1c，以確保不同供應商產品的效能一致。...