中國長鑫科技斥資 349 億人民幣重砸研發與封測，搶占 DRAM 市場商機

受惠於記憶體價格回升以及人工智慧（AI）與伺服器需求大增，中國記憶體晶片大廠長鑫科技（ChangXin Technology）在 2026 年上半年創下歷史最佳業績後，宣告啟動總額高達 349 億人民幣的大規模投資計畫。公司將獲利重新注入技術研發與生產基礎設施，目的在同步提升技術競爭力與產能，加快搶占下一代 DRAM 市場的步伐。

長鑫科技2026年上半年業績實現爆發性成長，營收達1,503.1億人民幣，較2025年同期大幅增長873.64%。歸屬於母公司股東的淨利達776.5億元，擺脫2025年同期虧損23.32億元的陰霾，實現強勢扭虧為盈。主營業務毛利率達到84.84%，現金流量更高達1,311.56億元。單季表現方面，第一季淨利潤為 247.62億元，第二季大幅攀升至 528.43億元，顯示記憶體漲價效益持續擴大。

這股成長浪潮源於全球 DRAM 供需結構的轉變。根據統計數據顯示，2026年第二季全球 DRAM 市場規模達1,470.24億美元，季增 55.9%。隨著 AI 資料中心快速發展，三星電子、SK海力士及美光等龍頭集中產能於 HBM 與伺服器 DDR5，導致通用型 DRAM 出現供給缺口。長鑫科技趁勢擴產，使其全球 DRAM 市佔率逼近 10%，躍升為全球第四大業者。

根據媒體報導，本次 349億元的總投資中，180億元將來自首次公開募股（IPO）的超額募集資金，其餘透過增資與借貸籌措。投資主要劃分為兩大核心項目：

長鑫科技的大舉擴產也帶動了供應鏈連動。晶片設計公司兆易創新（GigaDevice）於 29日宣布，因 DRAM 委託生產價格隨市場上漲，將 2026 年與長鑫科技的關聯交易預估金額從 57.11億人民幣，調高至78.54億元，並預估 2027 年 1 至 4 月交易金額達44.11億元。另在產品布局方面，長鑫科技正積極推動 LPDDR6 的商業化量產，並將傳輸速率達 10667Mbps 的 LPDDR5X 導入智慧型手機，進一步擴大高階行動記憶體市場的比重。

消息指出，雖然當前 DRAM 價格維持漲勢，但隨著長約簽署增加，現貨與短期價格漲幅可能於第三季趨緩。長鑫科技選擇在景氣高點重砸長達數年的研發與基礎建設，而非盲目追求短期擴產，展現了應對週期性產業特性的戰略遠見，為 2029 年後的全球 DRAM 市場競爭打下穩固基礎。

(首圖來源：長鑫存儲)

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