長鑫科技擬動用人民幣180億超募資金 加碼研發和後道測試

大陸記憶體晶片大廠長鑫科技上市不足兩個月，擬進一步動用人民幣（下同）180億元超募資金，加碼技術研發和存儲器晶圓後道測試，兩個項目總投資達349億元。

綜合陸媒報道，長鑫科技28日晚公告，公司當天召開董事會會議，審議通過使用部分超募資金投資建設新項目的議案，但仍須提交股東會審議。

其中，公司擬使用130億元超募資金投資新建技術研發項目。項目總投資241億元，建設週期30個月，實施地點位於安徽合肥的長鑫12英寸存儲器晶圓製造基地，資金主要用於設備購置。

長鑫科技表示，公司將通過持續推進產品和製程工藝迭代，提升存儲密度、功耗控制和讀寫性能，並加快推出新產品。由於項目屬於研發項目，公司沒有單獨測算投資回報，經濟效益將主要通過技術升級帶動主營業務增長體現。

公司也計劃通過增資和借款方式，向全資子公司長鑫存儲產品（合肥）有限公司提供50億元超募資金，用於建設存儲器晶圓後道測試基地二期項目。

這個項目總投資108億元，建設週期37個月，計劃新建一座測試工廠，為動態隨機存取存儲器（DRAM）晶片提供測試和模組組裝服務。

長鑫科技表示，隨著公司產能持續提升和產品種類增加，外部封測廠未來可能出現測試產能不足、配套投資跟不上的情況。透過自建後道測試和模組項目，公司可更靈活協調測試產能，降低DRAM晶片測試成本，並進一步完善從晶圓製造到後道測試的IDM（垂直整合製造）模式。

長鑫科技此次首次公開募股（IPO）募集資金總額為666.07億元，扣除發行費用後的募集資金淨額為663.10億元，其中超募資金368.10億元。截至目前，公司尚未使用超募資金。

此次擬投入的180億元，約占超募資金總額的一半。項目完成後，公司仍將保留約188億元超募資金。

但長鑫科技也提示，相關項目仍面臨政策和審批變化、市場環境改變、建設進度不及預期和研發技術難題等風險。對於後道測試基地二期，如果新增產能無法按預期滿產，人力、設備折舊和廠房運維成本也可能對公司階段性業績構成壓力。

長鑫科技股票28日收報53.80元，跌4.27％，總市值約3.65兆元。