鉅亨網長鑫科技新突破！年底推4F²架構DDR5伺服器記憶體
作者 莊閔棻全文約 1,045 字
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鉅亨網 · 文章頁摘要長鑫存儲預計年底推出4F²架構DDR5 RDIMM，提升DRAM儲存密度。 4F²相關公開專利族逾300件，長鑫加速布局伺服器記憶體市場。 長鑫已量產LPDDR6及G5 DRAM平台，2026年第二季DRAM市占率達7%，排名全球第四。
中國記憶體製造商長鑫存儲加速布局伺服器記憶體市場，並將推出新一代DRAM架構。長鑫科技(688825-CN)核心子公司長鑫存儲總裁曹堪宇週六（10日）表示，公司預計年底推出採用4F²架構的新一代DDR5RDIMM產品，透過縮小記憶體單元面積、提高儲存密度，突破現有DRAM製程瓶頸。...