中國長鑫宣布記憶體技術突破 全球半導體、科技股重挫
作者 施慧中全文約 1,194 字
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公視新聞 · 原文導言本週全球科技市場強烈動盪,美光、三星等晶片巨頭出現拋售潮,南韓股市更觸發熔斷。導火線是中國最大的DRAM製造商「長鑫存儲」,宣布率先在下一代記憶體技術,取得關鍵突破,引發市場對記憶體產業競爭與獲利的擔憂。而國際貨幣基金IMF最新發表的全球經濟展望,持續把AI與相關建設投資,列為帶動成長的火車頭,亞洲獲益最大,但這也加劇全球經濟的不平等分化。地緣衝突與債務膨脹,隨時都有可能吞沒AI紅利。

中國DRAM龍頭長鑫存儲,日前宣布領先全球同業,完成新一代4F²記憶體架構設計,透過垂直電晶體設計,減少單元面積,跟目前主流的6F²橫躺式架構相比,能讓晶片體積更小、儲存密度更高,成本更低。還預告今(2026)年底前推出以這個架構設計,專為企業級伺服器與AI資料中心打造的DDR5產品,象徵從低階消費...