科技新報美光正式跳過 4F² DRAM 電路單元架構，稱其密度優勢近乎神話有根本性問題
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文章摘要
科技新報 · 文章頁摘要針對近期市場討論沸沸揚揚的 4F² DRAM 電路單元架構，記憶體大廠美光（Micron）正式宣布跳過該技術，並直指相較於當前的 6F² 密度優勢「近乎神話」。 美光強調，相較於競爭對手三星 （Samsung） 與 SK 海力士（SK Hynix）仍致力於研發 10 奈米以下（0a、0b 節點）的垂...
針對近期市場討論沸沸揚揚的 4F² DRAM 電路單元架構，記憶體大廠美光（Micron）正式宣布跳過該技術，並直指相較於當前的 6F² 密度優勢「近乎神話」。 美光強調，相較於競爭對手三星 （Samsung） 與 SK 海力士（SK Hynix）仍致力於研發 10 奈米以下（0a、0b 節點）的垂...