應英偉達標準化要求 - 禁聞網

應英偉達標準化要求 三星將與台積電首次合作生產HBM三星電子將採用台積電的3納米工藝為英偉達的下一代定製高帶寬內存（HBM）生產基礎晶元，這將是三星首次與台積電在HBM製造階段展開合作。消息人士稱，英偉達已要求三星、SK海力士和美光科技採用台積電的工藝製造NVHBM基礎晶元，並採用第六代DRAM技術...