中央社早安世界》韓媒：三星應輝達要求 下一代HBM基礎晶粒採台積電3奈米
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中央社 · 文章頁摘要韓國「首爾經濟日報」報導，三星電子將採用台積電的3奈米製程，為輝達下一代客製化高頻寬記憶體（HBM）晶片製造基礎晶粒（base die）。
韓國「首爾經濟日報」報導，三星電子將採用台積電的3奈米製程，為輝達下一代客製化高頻寬記憶體晶片製造基礎晶粒。圖為示意圖。（圖取自Unsplash圖庫）韓媒：三星應輝達要求 下一代HBM基礎晶粒採台積電3奈米韓國「首爾經濟日報」報導，三星電子將採用台積電的3奈米製程，為輝達下一代客製化高頻寬記憶體（H...