〈OCP峰會〉台積電SoIC進入高速成長期 2029年實現A14堆疊A14
署名 鉅亨網記者魏志豪 台北
AI 晶片正邁向 3D 堆疊,台積電 (2330-TW)(TSM-US) 先進封裝技術暨服務副總經理何軍今 (11) 日也指出,SoIC 正式進入高速成長期,目前混和鍵和間距 (Pitch) 最小可達 6 微米,並已進入量產,預計 2029 年進一...
AI 晶片正邁向 3D 堆疊,台積電 (2330-TW)(TSM-US) 先進封裝技術暨服務副總經理何軍今 (11) 日也指出,SoIC 正式進入高速成長期,目前混和鍵和間距 (Pitch) 最小可達 6 微米,並已進入量產,預計 2029 年進一...