美國晶片法案注資3.89億美元 強化能源國防半導體研發 - OwlNews

圖／本報資料庫商傳媒｜責任編輯／綜合外電報導美國商務部於週五宣布，已簽署四份意向書，將依據「晶片與科學法」（CHIPSandScienceAct）提供高達3.89億美元的聯邦研發獎勵給四家公司。這項法案旨在促進美國半導體產業的研發與製造，確保其在關鍵技術領域的領先地位。這些獎勵金將加速半導體及相關材料的研發，以支援多種應用，特別是電力控制、轉換及傳輸等領域。根據最終協議，每家受補助公司將投入研發工作，解決半導體供應鏈中對功率半導體元件、模組及材料的關鍵需求。具體而言，核融合能源公司HelionEnergy將獲得最高1.75億美元，用於開發、擴展並建立國內高壓功率半導體及先進能源功率模組的能力，這些模組專為核融合發電中的高尖峰電流脈衝功率應用設計。致力於核融合電廠技術的開發商CommonwealthFusionSystems則將獲得最高8,500萬美元，投入射頻電漿加熱半導體、電力電子、核融合診斷嵌入式電子及抗輻射電子元件的研發。此外，VerticalSemiconductor公司將獲撥7,300萬美元，以推進其垂直型氮化鎵（GaN）功率半導體技術，此技術能為先進運算提供更高效、更緊湊的電力傳輸。材料供應商Sibelco則將取得最高5,600萬美元，用於開發新一代超高純度石英的純化與精加工技術，這類石英廣泛應用於半導體晶體生長坩堝、加工玻璃器皿以及整個半導體價值鏈中的其他硬體設備。美國商務部長霍華德·盧特尼克（HowardLutnick）表示，川普政府正加速美國半導體創新，以提升國內能源與電力資源。他強調，這些投資將擴大國內研究、確保關鍵供應鏈安全，並創造高薪的美國就業機會。美國商務部半導體投資與創新執行董事BillFrauenhofer也指出，這些晶片與科學法的研發獎勵將支持功率半導體元件及關鍵材料的突破。他認為，加速國內這些技術的研發，將強化美國為電網、先進資料中心、國防系統及新興核融合能源轉換與傳輸電力的能力。