科技新報美國砸 3.89 億美元扶植功率半導體，鎖定 AI 資料中心與核融合應用
作者 蘇子芸全文約 996 字
文章摘要
科技新報 · 文章頁摘要美國持續擴大本土功率半導體及關鍵材料布局。美國商務部宣布，依據《晶片與科學法案》（CHIPS and Science Act），與 4 家企業簽署意向書，計劃提供最高 3.89 億美元的研發補助，支持高壓功率半導體、垂直氮化鎵（GaN）及超高純度石英材料等技術開發，應用涵蓋 AI 資料中心、電網基礎...
美國持續擴大本土功率半導體及關鍵材料布局。美國商務部宣布，依據《晶片與科學法案》（CHIPS and Science Act），與 4 家企業簽署意向書，計劃提供最高 3.89 億美元的研發補助，支持高壓功率半導體、垂直氮化鎵（GaN）及超高純度石英材料等技術開發，應用涵蓋 AI 資料中心、電網基礎...