鉅亨網美光直球回應長鑫4F² 表態不跟進、3D DRAM長期成本更具優勢
作者 林羿君全文約 1,723 字
文章摘要
鉅亨網 · 文章頁摘要長鑫拚年底推4F² DDR5 RDIMM，美光總裁DeBoer稱評估後仍維持6F²，直接走向3D DRAM。 美光認為成本關鍵在電容間距與製程複雜度，4F²未必能持續降本，VCAT亦有演進限制。 法人指4F²量產與良率仍待驗證，短期難改產業格局；三星也傳評估導入4F²。
長鑫科技(688825-CN)推進4F²DRAM架構，引發市場對記憶體技術與成本競爭的關注。美光(MU-US)總裁暨技術與產品長ScottDeBoer正面回應，公司經長期評估及原型驗證後，仍將維持6F²架構，並直接邁向3DDRAM，認為後者在長期擴展性與成本效益上更具優勢。...