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破天荒攜手台積電!三星為輝達訂單妥協 HBM基礎晶片首度導入3奈米

作者 于倩若全文約 986 字

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【編譯于倩若/綜合外電】輝達(NVIDIA)已為其客製化高頻寬記憶體(HBM)制定統一的製程規格。記憶體大廠三星電子(Samsung Electronics)經內部評估後,決定配合這項要求,首度將台積電3奈米製程導入HBM晶片製造,用於生產基礎晶片(base die)。這項轉變意味著,三星長期採行的記憶體與晶圓代工垂直整合模式,在面對輝達的客製化訂單時已開始鬆動,也讓台積電的先進製程進一步深入HBM供應鏈的核心環節。

破天荒攜手台積電!三星為輝達訂單妥協 HBM基礎晶片首度導入3奈米(新聞配圖)
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【編譯于倩若/綜合外電】輝達(NVIDIA)已為其客製化高頻寬記憶體(HBM)制定統一的製程規格。記憶體大廠三星電子(Samsung Electronics)經內部評估後,決定配合這項要求,首度將台積電3奈米製程導入HBM晶片製造,用於生產基礎晶片(base die)。...