科技新報長鑫存儲準備年底推出 4F² DDR5 RDIMM 產品，預計超前三星 2 年
作者 Emma stein
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科技新報 · 文章頁摘要長鑫存儲近日透露 4F² DRAM 架構研發取得新進展，並預告年底前推出結合 4F² 架構、混合鍵合等技術的新一代 DDR5 RDIMM 產品，比三星推出該架構的路線進度提前 2 年。 隨著製程來到 10nm 以下，當前 DRAM 主流平面架構 6F² 已難繼續微縮，4F² 是業界公認「次世代 DR...
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長鑫存儲近日透露 4F² DRAM 架構研發取得新進展，並預告年底前推出結合 4F² 架構、混合鍵合等技術的新一代 DDR5 RDIMM 產品，比三星推出該架構的路線進度提前 2 年。 隨著製程來到 10nm 以下，當前 DRAM 主流平面架構 6F² 已難繼續微縮，4F² 是業界公認「次世代 DR...
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