科技新報

記憶體堆疊路線卡死!三星:16 層以上 HBM 需採 Hybrid bonding

作者 林妤柔

根據三星最近發表的論文,製造 16 層及以上的高頻寬記憶體(HBM)記憶體必須採用混合鍵合技術(Hybrid […]...