《科技》HBM緊俏延續至2028 美系外資看好記憶體族群：首選SK海力士

受惠AI伺服器建置浪潮持續，美系外資出具記憶體市場報告指出，儘管市場出現部分規格降級(de-spec)與16Hi量產時程遞延之雜音，但高頻寬記憶體(HBM)供需吃緊態勢未變，預估2026年至2028年HBM位元需求年複合成長率(CAGR)仍高達63%，並將大舉排擠傳統DRAM產能。外資維持對整體記憶體族群樂觀看法，並指出在供需嚴重短缺帶動下，HBM報價與產業營收規模將同步走揚，個股布局上短期仍維持「SK海力士優於三星電子」之評等基調。

外資報告指出，依據最新供應鏈與CoWoS先進封裝模型推估，未來三年HBM累積位元需求大致維持1630億Gb的高檔水準。雖然16Hi架構因技術驗證與成本因素延至2029年導入、8Hi生命周期拉長，但整體市場缺貨情況依舊嚴峻。預估HBM供需短缺率在2026年約為-20%，至2028年亦僅微幅改善至-16%，換算供應端短缺周數達數個月以上。在供需吃緊推升下，外資上修HBM平均售價(ASP)，預期2027年及2028年產業產值將達1600億至2820億美元，占全球三大記憶體原廠DRAM總營收比重升至18%-24%。

從終端應用來看，外資預期2026年至2028年間，HBM將以63%的CAGR位居記憶體成長第二高應用，僅次於AI伺服器用DRAM/SOCAMM的92%，大幅優於非HBM伺服器DRAM的37%與PC/手機市場的衰退3%。由於HBM製程複雜度高且耗用較多晶圓面積，預計2025年底至2028年底整體DRAM新增的93萬片月產能中，有高達58%將投入HBM生產，促使HBM晶圓投片比重自19%拉升至31%，進一步穩固整體DRAM產業結構。

在客戶結構方面，外資分析，輝達雖持續在高端AI晶片引領規格，但隨著雲端大廠客製化ASIC系統出貨爆發，預估ASIC在2027年HBM位元需求占比將拉升至48%，正式超越輝達的43%。原廠競爭態勢上，三星與美光緊追龍頭SK海力士，預估2026年雙雄合計市占將攀升至54%，惟在市場供給吃緊下，價格協商機制依舊維持健康。外資認為，記憶體基本面將一路強勁至2027、2028年，重申看多記憶體族群，維持SK海力士及三星「加碼」評等。