龍華科大半導體研究大突破 技術登國際期刊並完成專利布局

隨著全球半導體製程持續邁向埃米（Angstrom）世代，晶片內部金屬導線的線寬與間距不斷微縮，傳統純銅（Cu）互連導線也面臨漏電流增加、介電層可靠度下降，以及經時介電崩潰（Time-Dependent Dielectric Breakdown, TDDB）等材料與可靠度挑戰，這些發生在奈米甚至埃米尺...