韓媒：三星加速 P5 擴產，設備進場提前至明年第二季

綜合韓媒報導，三星電子近期傳出加快韓國平澤第五園區（P5）半導體產能布局。韓媒引述業界人士指出，三星正與主要設備供應商討論，將 P5 Ph1 設備進場時間由原訂 2027 年 7～8 月提前至 5～6 月；此外，P5 Ph2 也傳出正討論建置 NAND 產線，並可能導入第十代（V10）NAND 技術。

P5 是三星規劃的新一代半導體生產基地。其中，Ph1 預計以 DRAM 與 HBM 為主要布局方向，今年第三季已開始進行無塵室建置。韓媒指出，三星先前已提前相關工程時程，如今設備導入時間也可能進一步提前。

據韓媒引述業界人士說法，三星近期向設備供應商提出，希望 P5 Ph1 設備自明年 5～6 月開始搬入及安裝，較原先規劃的 7～8 月提前。另有設備業人士透露，三星甚至希望部分設備最快能在明年第一季先行交付，再暫時存放於其他地點。

P5 Ph2 投資規劃也開始受到關注。目前相關設備尚未正式下達採購訂單（PO），不過韓媒引述設備業人士指出，三星正與合作夥伴討論將 Ph2 建置為 NAND 產線的規劃。由於部分半導體設備交期較長，三星也傳出要求供應鏈提前準備相關零組件。

值得注意的是，三星今年 7 月第二季財報電話會議曾表示，依當時接獲的需求，今年未能滿足的部分需求可能遞延至明年，增加後續供應壓力；公司並預期，明年供應短缺情況可能較今年進一步加劇，相關供需吃緊情況可能延續至 2028 年。

（首圖來源：三星）

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