科技新報英飛凌將於歐洲設立全球首座採用 12 吋氮化鎵功率半導體晶圓廠
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科技新報 · 文章頁摘要英飛凌科技宣布，將在歐洲設立全球首座採用 12 吋晶圓生產新一代氮化鎵（GaN）功率半導體的大規模量產製造廠。做為該計畫的一部分，英飛凌將在 2034 年前，投資約 11 億歐元於奧地利菲拉赫（Villach）廠區的既有無塵室設施。透過運用現有基礎設施並進行升級，英飛凌將能以高效率且具成本效益的方式...
英飛凌科技宣布，將在歐洲設立全球首座採用 12 吋晶圓生產新一代氮化鎵（GaN）功率半導體的大規模量產製造廠。做為該計畫的一部分，英飛凌將在 2034 年前，投資約 11 億歐元於奧地利菲拉赫（Villach）廠區的既有無塵室設施。...