日本半導體 EUV 技術落敗艾司摩爾 專家揭關鍵失誤
作者 吳承岳全文約 589 字
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是新聞 · 文章頁摘要商傳媒|吳承岳/台北報導 曾主導半導體露光裝置市場的日本企業,在極紫外光刻(EUV)技術的開發

商傳媒|吳承岳/台北報導 曾主導半導體露光裝置市場的日本企業,在極紫外光刻(EUV)技術的開發上,徹底輸給了荷蘭的艾司摩爾(ASML),這不單是商業模式的失敗,更是技術發展未能達到量產水準的挫敗。學習院大學教授柴田友厚(Tomohisa Shibata)分析,日本半導體產業在 EUV 技術上的落敗,...