商傳媒日本半導體 EUV 技術落敗艾司摩爾 專家揭關鍵失誤
作者 吳承岳全文約 686 字
文章摘要
商傳媒 · 文章頁摘要曾主導半導體露光裝置市場的日本企業，在關鍵的極紫外光刻（EUV）技術開發上，徹底輸給荷蘭艾司摩爾（ASML）。專家分析，日本敗因在於缺乏長期研發的「執拗性」，以及固守「自前主義」導致合作不足，未能將技術推進至量產階段。
曾主導半導體露光裝置市場的日本企業，在關鍵的極紫外光刻（EUV）技術開發上，徹底輸給荷蘭艾司摩爾（ASML）。專家分析，日本敗因在於缺乏長期研發的「執拗性」，以及固守「自前主義」導致合作不足，未能將技術推進至量產階段。...