三星首次與臺積電合作 為英偉達製造HBM底層邏輯晶片
引用 路透社
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聯合早報 · 文章頁摘要韓國媒體報道,韓國三星電子首次與臺灣“護國神山”臺積電合作,為美國科技巨企英偉達製造下一代定製高帶寬內存(high bandwidth memory,簡稱HBM)的底層邏輯晶片(base die)。

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韓國媒體報道,韓國三星電子首次與臺灣“護國神山”臺積電合作,為美國科技巨企英偉達製造下一代定製高帶寬內存(high bandwidth memory,簡稱HBM)的底層邏輯晶片(base die)。

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