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韓國團隊以氧氣控制二維半導體成長位置，單晶良率達 99.3%

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韓國科學技術院（KAIST）與新創公司 TDS Innovation 組成的團隊，找出控制二維半導體晶體成長起點的方法，有望突破次世代晶片量產的一大障礙。論文 10 月 7 日刊登於《自然》（Nature）期刊。 二維材料指的是厚度僅有原子層級的材料。最知名的石墨烯由單層碳原子構成，但本身缺乏能隙，...

韓國團隊以氧氣控制二維半導體成長位置，單晶良率達 99.3%（新聞配圖）
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https://technews.tw/2026/10/13/researchers-work-out-how-to-control-2d-semiconductor-growth-for-future-chips/